合成、熱処理、ドーピング

Synthesis, Heat Treatment, and Doping

材料の性質を目的に合わせて変化させる手段として、結晶材料の合成、熱処理による変質、イオンのドーピングなどがある。材料の合成ではカーボンナノチューブ（CNT）、グラフェン、ダイヤモンドなどの結晶成長が行われ、熱処理では酸化、不純物元素の拡散、アニールなど多くの用途がある。不純物元素のドーピングにはイオン注入装置が広く使われている。

Synthesis of crystalline materials, transformation by heat treatment, and ion doping are the means to change the properties of materials to suit the purpose. Material synthesis involves the growth of crystals such as carbon nanotubes (CNTs), graphene, and diamond, while heat treatment has many applications such as oxidation, diffusion of impurity elements, and annealing. Ion implanters are widely used for doping of impurity elements.

熱処理、レーザーアニール

Heat treatment and laser annealing

熱処理装置では温度範囲400℃～1200℃、急速加熱（200℃/sec）などの装置があり、またレーザーアニールではKrFレーザーのマスクパターン縮小投影による局所表面のアニーリングを行うことが出来る装置がある。

For laser annealing, there are devices that can perform local surface annealing using a KrF laser with a reduced mask pattern projection.

イナートガスオーブン
Inert Gas Oven
装置写真

【English】Inert Gas Oven
【別名】
【型式番号】光洋サーモシステム INH-9CD
【apparatus ID】145
【機器ID】F-UT-132
【機能】窒素ガスを導入して、窒素雰囲気でプログラムした通りにベークできる電気炉。600℃まで昇温可能。残留ガス濃度20ppm (カタログスペック)

【Alias】
【Model Number】INH-9CD
【Apparatus ID】145
【Equipment ID】F-UT-132
【Specifications】A programmable furnace that can heat under nitrogen atmosphere. Maximum temperature is 600°C. Residual gas concentration: 20ppm.

高速ランプアニール装置
High Speed Lamp Annealer
装置写真

【English】Lamp Annealer
【別名】
【型式番号】YONEKURA MS-HP2-9
【apparatus ID】163
【機器ID】F-UT-138
【機能】φ3inchまで（条件によってφ4inchまで可能）。大気および窒素雰囲気。昇温速度200℃/minまで、到達温度1000℃まで可能。

【Alias】
【Model Number】YONEKURA MS-HP2-9
【Apparatus ID】163
【Equipment ID】F-UT-138
【Specifications】Maximum sample size: 3'' wafer (4'' wafer might be possible depending on the conditions). Air or nitrogen atmosphere. Maximum temperature rising rate is 200°C/min. Maximum temperature is 1000°C.