東京大学 武田先端知スーパークリーンルーム

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装 置

<装 置 検 索>

<リソグラフィ・露光・描画装置> 半導体デバイス等の製作において,微細デバイスや回路の設計パターンをチップ上に形成するために,半導体ウェハー上に塗布したレジスト膜に光によってパターンを焼きこむ描画工程がリソグラフィーであり,その光の露光方式が,パターン精度やスループットに対応して各種ある.また,最近は高価な露光装置を用いない印刷技術(ナノインプリント)や液滴吐出(インクジェット)による簡易な描画技術が開発されている.
-- 露光(マクスアライナ)-- マスクアライナーとは紫外線を用いて試料に微細なパターンを転写・焼付する装置である.一般的にはレジストを塗った試料上にフォトマスクを配置させ,上から紫外線を照射する.露光方式には,密着露光,近接露光(以上コンタクト方式),レンズを用いた等倍投影露光,縮小投影露光方式がある.また,両面アライメント機能を持ったものもある.
■(1)光リソグラフィ装置【UNION PEM800】
■(2)光リソグラフィ装置【Suss MA-6】
-- 電子線描画装置(EB)-- 電子線描画は,電子銃から発せられた電子線を電子レンズや,偏向器などを通し,微細に制御されるX-Y-Zステージ上の試料に照射して目的のパターンを描画する.ビーム径はnmオーダーであり,数十nm~数nmの微細パターン描画が可能である.可変整形ビーム型では電子ビームを途中のアパーチャーで矩形にして,照射ビーム断面積を大きくして,描画速度を高めている.電子線露光装置は露光用マスク(レチクル)の作製に使われるが,研究開発用や少量生産用のデバイスの直接描画に適している.
■(3)高速大面積電子線描画装置
  【ADVANTEST F5112+VD01】
■(4)超高速大面積電子線描画装置
  【ADVANTEST F7000S-VD02】
-- レジスト塗布・現像装置-- ホトリソグラフィーにおいて露光前にウェハにレジストを塗布する方法として一般にスピンコートを行う.平坦面に均一にレジスト薄膜を形成するために,ウェーハ上にホトレジスト液を一定量滴下し,ウェーハを高速回転し,遠心力によって塗布する.なお,表面に凹凸がある場合はこの方式は適用できず,スプレー方式でレジストを塗布する.露光後,現像プロセスを経て,パターンを形成する.
■(5)マスク・ウエーハ自動現像装置群
<成膜・膜堆積> 半導体デバイス等の機能を発現するために半導体,絶縁体,金属などの薄層をチップ上に重ねて形成する.また保護膜のニーズもある.膜形成材料,膜の厚さ,品質・精度などの要求条件に対応できる各種成膜・堆積技術がある.成膜・堆積技術としては,気相法の他に,メッキなどのように液相法もある.なお,堆積とパターン形成を同時に行うもの,例えば印刷技術などはリソグラフィー・露光・描画装置の大分類に入っている.
-- 蒸着(抵抗加熱、電子線)-- 真空蒸着装置は真空にした容器の中で,蒸着材料を加熱などにより気化もしくは昇華して,離れた位置に置かれた基板の表面に付着させ,薄膜を形成する装置である.加熱手段には抵抗加熱,電子ビーム照射,高周波誘導,レーザー照射などの方法がある.真空蒸着法の長所は,膜の厚さの微妙なコントロールができることである.可能な蒸着材料はAl,Ag,Au,Ti,Ni,Cu,Cr,Sn,Inなどの金属およびAl2O3,SiO2などの酸化物である.
■(6)4インチ高真空EB蒸着装置【NSPII】
■(34)ベルジャー蒸着装置
-- スパッタリング-- ターゲット(物質)にArなどの不活性な物質を高速で衝突させ,ターゲットを構成する原子や分子を叩き出し,この叩き出された原子や分子を基板上に付着させ薄膜を形成する技術をスパッタリングという.基板への付着力の強い膜の作製,合金系や化合物のターゲットの組成比をほぼ保ったまま膜作製が可能,融点の高い物質でも堆積が可能,スパッタするガスに反応性のガスを混合することによって,酸化物,窒化物の薄膜の作成も可能などの特徴がある.
■(7)4元スパッター装置(川崎ブランチ)
  【CFS-4EP-LL 芝浦メカトロニクス(株)】
■(8)ECRスパッタリング装置(川崎ブランチ)
  【EIS-230W (株)エリオニクス】
■(9)8インチ汎用スパッタ装置【ULVAC SIH-450】
■(10)高密度汎用スパッタリング装置
  【芝浦 CFS-4ES】
■(12)電子線顕微鏡観察用コーター【PECS】
-- めっき-- めっき(plating)は,金属などの材料の表面に,金属の薄膜を被覆する表面処理をいう.一般には電解液で電流を流してカソード電極となる材料表面に金属を析出させる.また,電流を流さず,化学反応により金属を析出する無電解めっきがあり,この場合は対象物は金属に限らない.
■(35)金メッキ装置  
■(36)銅メッキ装置  
■(37)超臨界銅成膜装置  
<膜加工・エッチング> 機能デバイスの製造工程では,試料表面,例えば薄膜表面に塗布したレジスト膜に露光・現像してできたマスクパターンを用いて試料表面をエッチング(食刻)することで,薄層のパターンを形成する.その後,不要となったマスク(レジスト)を除去する(アッシング).なお,微細加工をマスクを使わず直接行う手法もある.集束イオンビーム加工やレーザー加工である.
--ドライエッチング(RIE) -- ドライエッチングの一つである反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching: RIE)は,反応室内でエッチングガスに電磁波などを与えプラズマ化し,同時に試料を置く陰極に高周波電圧を印加する.これにより試料とプラズマの間に生じた自己バイアス電位により,プラズマ中のイオン種やラジカル種が試料方向に加速されて衝突する.その際,イオンによるスパッタリングと,エッチングガスの化学反応が同時に起こり,微細加工に適した高い精度でのエッチングが行える.
■(14)汎用ICPエッチング装置【ULVAC CE-300I】
■(15)高速シリコン深掘りエッチング装置
    【SPTS MUC-21 ASE-Pegasus】
■(16)塩素系ICPエッチング装置
    【ULVAC CE-S】
■(17)汎用高品位ICPエッチング装置
    【ULVAC NE-550】
■(44)汎用平行平板RIE装置【SAMCO RIE-10NR】
--ドライエッチング(その他) -- その他のドライエッチングでは,例えば高周波誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma: ICP)活用のエッチングや分析技術.二周波励起プラズマエッチング装置.ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置などがある.
■(18)誘導結合プラズマドライエッチング装置
  (川崎ブランチ)
【Oxford Instruments PlasmaPro100-ICP- 180 】
■(40)NCプリント基板加工装置
    【LPKF Protomat S62 】
-- ウエット/ガスエッチング,洗浄 -- エッチング液を満たした容器内でエッチングするウエットエッチングは,大量の基板の一括処理可能,装置や薬品の価格が安い,ドライエッチングに比べてエッチングされる母材に与える損傷が少ないなどの利点がある.欠点としては,エッチング深さが深いとエッチマスクの真下にも腐食が進む(アンダーカット)があるため,精度の高い微細加工が難しい.犠牲層エッチングなどには非プラズマの気相エッチング装置が使われる.また,洗浄用には純水製造装置が使われる.
■(19)クリーンドラフト潤沢超純水付
■(20)気相フッ酸エッチング装置
【IDONUS 8インチ装置 Vapor HF専用】
-- 集束イオンビーム加工 -- 集束イオンビーム(Focused Ion Beam: FIB)加工装置は,集束ガリウム(Ga)イオンビームを当てて試料表面の原子をはじきとばすこと(スパッタリング)によって試料を削る装置である.集束イオンビームは数100nmから数nmまで絞ることができるので,ナノ領域での加工が可能である.イオンビームの照射時に飛び出してくる2次電子を測定することにより試料表面の様子を観測するSIM(走査イオン顕微鏡)の機能も持っている.
■(21)集積回路パターン微細加工(FIB)装置
  【FEI V400ACE】
-- レーザー加工 -- レーザ加工は,レーザ光を極めて小さな面積に集光させることにより,大きなエネルギ密度を発生させ,これにより,材料を加熱,溶融もしくは蒸発させるものである.この原理で,鉄,非鉄,セラミック,プラスチックス,木材,布,紙,複合材などほとんどの種類の材料を対象に,自由曲線切断,穴あけ,溶接,表面処理,微細加工などの多岐にわたる加工を行うことができる.
■(39)UVレーザープリント基板加工装置
  【LPKF ProtoLaser U3】
◆リソグラフィ・露光・描画装置
光露光(マスクアライナ) ▲ 装置検索へ戻る
(1) 装置名:光リソグラフィ装置 【機器ID:F-UT-101】
       (Photomask aligner PEM-800)
  <仕様>
   型式番号:UNION PEM800
   光によるリソグラフィを行う装置。
   いわゆる両面4”マスクアライナーと呼ばれる装置です。
   マスクは5009、4009、2509サイズを取り付け可能です。
PEM800
  設置場所:CR
光露光(マスクアライナ) ▲ 装置検索へ戻る
(2) 装置名:光リソグラフィ装置  【機器ID:F-UT-114】
       (MA6 Suss 6" Mask Aligner)
 <仕様>
  型式番号:Suss MA6
  精密な位置合わせ(表裏1ミクロン精度)が可能で、
  欠片から6インチまでの露光が可能なマスクアライ
  ナーです。
  普段は混合で利用していますが必要であればi線フィ
  ルターをかけることができます。
MA-6
  設置場所:CR
電子線描画(EB) ▲ 装置検索へ戻る
(3) 装置名:高速大面積電子線描画装置   【機器ID:F-UT-099】
      (Ultrarapid Electron Beam Direct Writing and Photo Mask Fabrication Machine)
 <仕様>
  型式番号:ADVANTEST F5112+VD01
  長方形矩形の大きさを任意に変更してショットする
  ことのできる高速電子線描画装置。
  カケラ基板から8インチ丸基板までの任意形状に対応。
F5112
  設置場所:CR
電子線描画(EB) ▲ 装置検索へ戻る
(4) 装置名:超高速大面積電子線描画装置 【機器ID:F-UT-113】
      (Ultrarapid Electron Beam Direct Writing and Photo Mask Fabrication Machine)
 <仕様>
  型式番号:ADVANTEST F7000-VD02
  カケラから8インチ丸基板までの任意形状に対応。
  (厚みに制限あり。ご相談ください)
  可変整形ビーム(VSBモード)による、高速描画が可能。
  内蔵ステンシル(CPモード)による、階段近似の
  無い滑らかな曲線等の高速描画が可能。
  データはGDS-IIストリームフォーマットから変換。
F7000
  設置場所:CR
レジスト塗布・現像装置 ▲ 装置検索へ戻る
(5) 装置名:マスク・ウエーハ自動現像装置群  【機器ID:F-UT-100-1】
      (Photomask Dev. Ash. Etcher)
 <仕様>
  枝番1: 現像装置 型式番号:EVG101
  フォトマスク(5009)作製を行うための自動処理装置
  ですが、EVG101は5”マスクの現像のほか、TMAHを
  用いた3"~ 8”ウエーハ現像可。
EVG101
 <仕様>
  枝番2: エッチング装置 型式番号:APTCON1150    
SAMCO FA-1
 <仕様>
  枝番3: アッシング装置 型式番号:SAMCO FA-1    
photmask
  設置場所:CR
◆成膜・膜堆積
蒸着(抵抗加熱、電子線) ▲ 装置検索へ戻る
(6) 装置名:4インチ高真空EB蒸着装置  【機器ID:F-UT-102】
       ( Ultra high vacuum evaporator)
 <仕様>
  型式番号:NSPII
  東大拠点で独自設計・自作した蒸着装置で、いわゆる
  抵抗加熱蒸着と電子線(EB)加熱蒸着との両方が可能
  です。
  主な材料はAu, Cr, Alです。
Ultra-high-acuum evaporator
  設置場所:CR
蒸着(抵抗加熱、電子線) 装置検索へ戻る
(34) ベルジャー蒸着装置 【機器ID:F-UT-134】
    (Ultra high vacuum evaporator (Bell-jar) )
  <仕様>
   抵抗加熱のみ。φ4inchまで可能    
NO34-Belljar
  設置場所:CR
スパッタリング ▲ 装置検索へ戻る
(7) 装置名:スパッタリング装置(川崎ブランチ) 【機器ID:F-UT-109】
       (Multple Cathode Magnetron Sputtering System, CFS-4EP-LL)
 <仕様>
  型式番号:CFS-4EP-LL 芝浦メカトロニクス(株)
  ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタリング
  し、基板に製膜するスパッタリング装置です。
  ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。
  φ200以下のシリコン、ガラス専用。
4gen-sputter
  設置場所:川崎ブランチCR
スパッタリング ▲ 装置検索へ戻る
(8) 装置名:ECRスパッタリング装置(川崎ブランチ) 【機器ID:F-UT-110】
       (Electron-Cyclotron Resonance (ECR) Ion Beam Sputter Deposition System, EIS-230W)
 <仕様>
  型式番号:EIS-230W (株)エリオニクス
  ターゲット材をアルゴンプラズマによってスパッタ
  リングし基板に製膜するスパッタリング装置です。
  109と比較して高周波の高密度プラズマを用いてい
  るところが違いです。
  ターゲット材は日々変動するので都度相談ください。
  φ100以下の基板用
ECR-sputter
  設置場所:川崎ブランチCR
スパッタリング ▲ 装置検索へ戻る
(9) 装置名:8インチ汎用スパッタ装置 【機器ID:F-UT-115】
       (General purpose Sputtering machine, ULVAC SIH-450)
 <仕様>
  ULVAC SIH-450装置。
  4インチウエーハ8枚、8インチウエーハ2枚導入可能。
  6インチターゲット2枚、4インチターゲット1枚が可能。
  RFとDCスパッタリングが可能。
  ターゲット種類:Al,SiO2,TiN,Ta。その他のターゲット
  導入も相談に乗ります。
  (在庫がない場合注文から導入まで数ヶ月かかることも
  ありますので相談はお早めに。)
ULVAC-SIH-450
  設置場所:CR
スパッタリング ▲ 装置検索へ戻る
(10) 装置名:高密度汎用スパッタリング装置  【機器ID:F-UT-122】
     (sputter)
 <仕様>
  芝浦 CFS-4ES 
  汎用高密度 ターゲット超豊富です。
  サンプルサイズ: 8inch
  ターゲットサイズ: 3inch
  ターゲット種類 : Ag, Al, Au, Cr, Cu, Ni, Ta, Ti, Pd ※,
  Pt, Zn, Al-Nd, AuGeNi, AuZnNi, TbFeCo, TiO2, Al2O3,
  GaN, SiO2, Si3N4, ITO, IZO, ZAO, ZnO
CFS-4ES_370
  設置場所:CR
スパッタリング ▲ 装置検索へ戻る
(12) 装置名:電子線顕微鏡観察用コーター  【機器ID:F-UT-131】
       (Coater for SEM analysis)
 <仕様>
  PECS
  スパッタによりカーボン膜など観察用の薄膜を堆積で
  きます。
PECS
  設置場所:CR
めっき ▲ 装置検索へ戻る
(35) 装置名:金メッキ装置  【機器ID:F-UT-135】
       (Gold electroplating apparatus)
 <仕様>
  山本鍍金試験器製。欠片~4”までの金電解メッキ
  
Gold plating
  設置場所:CR
めっき ▲ 装置検索へ戻る
(36) 装置名:銅メッキ装置  【機器ID:F-UT-136】
       (Copper electroplating apparatus)
 <仕様>
  山本鍍金試験器製。欠片~4”までの銅電解メッキ
  
Copper plating
  設置場所:CR
めっき ▲ 装置検索へ戻る
(37) 装置名:超臨界銅成膜装置  【機器ID:F-UT-140】
       (SCF Deposition)
 <仕様>
 自作2㎝角まで。東京大学霜垣・百瀬研究室との協力に
 よる。   
SCFD
  設置場所:CR
◆膜加工・エッチング
ドライエッチング(RIE) ▲ 装置検索へ戻る
(14) 装置名:汎用ICPエッチング装置 【機器ID:F-UT-104】
        (General purpose ICP etching machine)
 <仕様>
  型式番号:ULVAC CE-300I
  誘導性結合プラズマ(ICP)エッチング装置で、こちらは
  汎用装置です。
  4”丸型ウエーハの入る装置です。
  利用可能ガスは、アルゴン、SF6、CF4、CHF3、O2です。
  主に酸化膜のエッチングや、イオンミリングによる金属
  のエッチングに利用しています。
ULVAC-CE-300I
  設置場所:CR
ドライエッチング(RIE) ▲ 装置検索へ戻る
(15) 装置名:高速シリコン深掘りエッチング装置 【機器ID:F-UT-116】
        (Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine)
<仕様>
 SPTS MUC-21 ASE-Pegasus
 高密度プラズマにより(ICPパワー3kWまで。1800W常用)
 低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。
 (例:当方のEBレジストを用い、scalloping100nm程度で
 100μm開口トレンチ20分エッチングで135μm)
 4”装置。
 100nmクラス開口特殊レシピ有。また、SF6による
 「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチ
 ングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用
 できます。
SPTS-MUC-21-ASE-Pegasus
  設置場所:CR
ドライエッチング(RIE) ▲ 装置検索へ戻る
(16) 装置名:塩素系ICPエッチング装置 【機器ID:F-UT-117】
       (ICP-RIE machine)
 <仕様>
  ULVAC CE-S
  オペレーションの容易さで評判のCE-300Iの後継機
  8”装置(任意サンプル貼り付けエッチング可能)
  Cl2, BCl3, SF6, CHF3, Ar, O2によるエッチングが可能
  ですが、主に使い分けとしてCl系のエッチングを行って
  います。
 ULVAC-CE-S
  設置場所:CR
ドライエッチング(RIE) ▲ 装置検索へ戻る
(17) 装置名:汎用高品位ICPエッチング装置 【機器ID:F-UT-123】
       (ICP-RIE machine)
<仕様>
 ULVAC NE-550
 CE-300Iの上位機種(ULVACのフラッグシップモデル)
 です。
 大津・八井研究室の協力により利用可能になりました。
 4”装置 塩素・フッ素系汎用 Cl2, BCL3, Ar, O2, CF4,
 CHF3, SF6, C3F8。
ULVAC-NE-550
  設置場所:CR
ドライエッチング(RIE) ▲ 装置検索へ戻る
(44) 装置名:汎用平行平板RIE装置 【機器ID:F-UT-137】
       (Reactive Ion Etching system)
 <仕様>
  SAMCO RIE-10NR
  8”装置。SF6, CHF3, CF4, Ar, O2によるエッチングが
  可能。
  ヘリウム背圧冷却が不要
   
RIE-10NR
  設置場所:CR
ドライエッチング(その他) ▲ 装置検索へ戻る
(18) 装置名:川崎ブランチ化合物用エッチング装置 【機器ID:F-UT-111】
      (Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System)
 <仕様>
  型式番号PlasmaPro100-ICP-180 Oxford Instruments
  誘導結合プラズマ(ICP)によるエッチング装置です。
  化合物半導体基板(GaAs, InP, GaN等)を得意とします。
  4”丸型ウエーハ導入可能。
  導入ガス種:Ar, O2, H2, CH4, N2, Cl2, SF6, He
PlasmaPro-100-ICP-180
  設置場所:川崎ブランチCR
ドライエッチング(その他) ▲ 装置検索へ戻る
(40) 装置名:NCプリント基板加工装置 【機器ID:F-UT-142】
      (NC mechanical PCB and Micro processing Machine)
 <仕様>
  LPKF Protomat S62装置。
  機械加工によって切削可能なすべての材料の加工が
  可能。    
NCPrint
  設置場所:CR
ウエット/ガスエッチング,洗浄 ▲ 装置検索へ戻る
(19) 装置名:クリーンドラフト潤沢超純水付 【機器ID:F-UT-106】
      (Draft Chambers with DI water taps)
 <仕様>
  化学作業を行うためのいわゆる「ドラフトチャンバー」を
  用意しています。
  クリーンルーム1にはアルカリ2台、酸1台、有機1台、
  クリーンルーム2にはアルカリ2台、酸2台、有機1台
  あり、利用できます。
  全てに潤沢な超純水を取れる口があり、一度使うと湯水
  のごとく超純水が使えることに誰もが驚きます。
  窒素ガンも用意してあり、洗ったサンプルを窒素ブロー
  で乾かすこともできます。
clean-draft
  設置場所:CR
ウエット/ガスエッチング,洗浄 ▲ 装置検索へ戻る
(20) 装置名:気相フッ酸エッチング装置  【機器ID:F-UT-124】
       (Vapor Phase HF Etcher )
 <仕様>
  IDONUS 8インチ装置 Vapor HF専用
  気相フッ化水素(HF水溶液を蒸発)によって、選択的に
  シリコン酸化膜をエッチングし、可動構造体をリリース
  するための装置です。
  独自構造によって、フッ酸に直接触れることなく、安全
  に利用することができます。
  静電チャックによって、任意形状の基板をチャック下
  エッチングのほか、4,6,8インチの丸ウエーハは
  機械的クランプを行えます。
IDONUS
  設置場所:CR
集束イオンビーム加工 ▲ 装置検索へ戻る
(21) 装置名:集積回路パターン微細加工(FIB)装置 【機器ID:F-UT-133】
        (FIB for LSI Repair)
 <仕様>
  FEI V400ACE
  LSI配線を効率的に修正するための装置です。
  DCG P2Xを置き換えました。
  ガスを利用した金属配線カット、絶縁膜堆積、
  金属配線堆積が可能。
  大規模集積回路(VLSI)の配線修正を最も
  得意とする装置です。
  それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析で
  公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。
  (案内します)
FIB-V400ACE
  設置場所:CR
レーザー加工 ▲ 装置検索へ戻る
(39) 装置名:UVレーザープリント基板加工装置 【機器ID:F-UT-141】
        (Laser PCB and Micro processing Machine)
 <仕様>
  LPKF ProtoLaser U3装置。
  UVレーザーによって、標準膜厚(35μm)の銅箔を含む
  多種薄膜の直接加工が可能。
 
UVlaser
  設置場所:CR
◆合成、熱処理、ドーピング
熱処理、レーザーアニール ▲ 装置検索へ戻る
(22) 装置名:イナートガスオーブン 【機器ID:F-UT-132】
        (Inert Gas Oven)
 <仕様>
  INH-9CD
  窒素ガスを導入して、窒素雰囲気でプログラムした
  通りにベークできる電気炉。
  600℃まで昇温可能。残留ガス濃度20ppm
  (カタログスペック)。
Inert-Gas-Oven
  設置場所:CR
熱処理、レーザーアニール ▲ 装置検索へ戻る
(41) 装置名:高速ランプアニール装置 【機器ID:F-UT-138】
        (Lamp Annealer)
 <仕様>
  MS-HP2-9
  φ3inchまで(条件によってφ4inchまで可能)。
  大気および窒素雰囲気。昇温速度200℃/minまで、
  到達温度1000℃まで可能。
Inert-Gas-Oven
  設置場所:CR
◆表面処理
サンドブラスト ▲ 装置検索へ戻る
(42) 装置名:サンドブラスト 【機器ID:F-UT-139】
        (Sandblasting Machine )
 <仕様>
  クリーンルーム対応装置。アルミナ粉末によってブラスト
  加工ができます。    
Sandblasting
  設置場所:CR
◆切削、研磨、接合
接合・貼り付け・ダイボンダ ▲ 装置検索へ戻る
(23) 装置名:マニュアルウエッジボンダ― 【機器ID:F-UT-126】
       (Manual wire bonder)
 <仕様>
   WestBond 7476D
  アルミ線(または金)音波接合。
  ウエッジ針によって、超音波で配線を刷り込むように
  接合できる、「何にでもよくつく」ボンダーです。
  普段は25μmφのアルミ線を常用しています。
  Zeissの三眼顕微鏡(高精細CCDカメラ付き)により、
  デバイスの写真や簡単な動画を取得することもで
  きます。
  設置場所:CR
接合・貼り付け・ダイボンダ ▲ 装置検索へ戻る
(24) 装置名:エポキシダイボンダ― 【機器ID:F-UT-127】
       (Epoxy Die Bonder)
 <仕様>
  WestBond 7200C
  精密マニュピレータ。銀ペースト接着。
  実体顕微鏡で斜めから観察しながら、エポキシや
  銀ペーストでチップを配置することができます。
  実体は精密マニュピレータですので、その他治具
  の工夫によって、金バンプの頭を平坦化して揃え
  たり(コイニング)することも可能です。
WestBond-7200C
  設置場所:CR
接合・貼り付け・ダイボンダ ▲ 装置検索へ戻る
(25) 装置名:セミオートボールボンダー 【機器ID:F-UT-128】
        (Ball bonder)
 <仕様>
  金のボールボンダー。超音波接合、金バンプや、
  金線によるボールボンディングが可能な装置です。
  ディスプレイまたは実体顕微鏡でみながら指定した
  位置に自動でボールを置いてくれます。
  ウェッジボンダ―と比較すると、対象を選びますが、
  ひとたび条件が出るとこちらの方が安定しています。
  120μmピッチのLSIチップへのボンディングや、
  75μmφ金バンプなどで実績があります。
  特注の52ピンガラスエポキシピッチ変換基板
  (金メッキ付)もお分けできます。
WestBond-7200C
  設置場所:CR
接合・貼り付け・ダイボンダ ▲ 装置検索へ戻る
(26) 装置名:精密フリップチップボンダー 【機器ID:F-UT-129】
       (Flip chip bonder)
 <仕様>
  Finetech Lambda
  ハーフミラーで両方を見ながら位置合わせができる 、
  このクラスでは「世界最強」のマニュアルフリップ
  チップボンダーです。
  手動(マイクロメータによる位置合わせ)精度±0.5μm、
  角度合わせはアナログ式1ミリラジアン。チップサイズ
  15mmまで(治具作成可能)。
  ランプ加熱による400度熱接合 
  (超音波オプション購入すれば可能)。
Finetech-Lambda
  設置場所:CR
ダイシング、スクライバ ▲ 装置検索へ戻る
(27) 装置名:ステルスダイサー 【機器ID:F-UT-107】
       (Silicon Stealth Dicing Machine)  
 <仕様>
  型式番号:DFL7340(ステルスダイサー・Si用)
  当拠点のステルスダイサーはシリコン専用ですが、
  日本発の新技術「ステルスダイシング技術」を利用
  したダイサーです。(通常のブレードダイサー:
  DAD3650も公開しています)
  レーザー光線をシリコンウエーハの内部に集光する
  ことで、意図的に「割れやすい線」を埋め込むことが
  できます。
  この線を設計図に従って何本も埋め込み、最後に
  軽くストレスを与えることで、ウエーハを設計図通り
  にへき開することができる夢のダイシング装置です。
DFL7340
  設置場所:CR
ダイシング、スクライバ ▲ 装置検索へ戻る
(43) 装置名:ブレードダイサー 【機器ID:F-UT-121】
       (Dicing Saw)  
 <仕様>
  DAD3650
  この「二軸機」によれば、四角く切り出したチップ端部を
  斜めに切りおとすこと(ベベルカット)が可能になり、
  塗布したレジストの平坦性が担保される効果が期待で
  きチッププロセスの収率向上に大きなプラスとなり
  ます。
DAD3650
  設置場所:CR
CMP(化学機械研磨) ▲ 装置検索へ戻る
(29) 装置名:精密研磨装置 【機器ID:F-UT-108】
        (C.M. Polisher)  
 <仕様>
  型式番号:Logitec 4"化学研磨装置
  アルミナの粉によって、対象物を精密に研磨する
  装置です。
  4"丸型ウエーハまで研磨可能。
Polisher
  設置場所:CR
◆形状・形態観察、分析
走査電子顕微鏡(SEM) ▲ 装置検索へ戻る
(30) 装置名:電子顕微鏡 【機器ID:F-UT-130】
       (Scanning Electron Microscope, S-4700)
 <仕様>
  Hitachi S-4700が、武田先端知クリーンルームにある
  ほか、大津・八井研の協力により、工学部2号館の
  SEMも利用することができます。
  EDAX(簡易元素分析機能)付き。
Hitachi-S-4700
  設置場所:CR・工学部2号館
走査電子顕微鏡(SEM) ▲ 装置検索へ戻る
(45) 装置名:SEM 【機器ID:F-UT-145】
       (Scanning Electron Microscope, TM-3030Plus)
 <仕様>
  EDAX(簡易元素分析機能)付き。
TM3030Plus
  設置場所:CR
                
膜厚・段差・粗さ測定 ▲ 装置検索へ戻る
(31) 装置名:形状・膜厚・電気特性評価装置群   【機器ID:F-UT-105】
   (Series of analysis equipments, visual, thickness, and electrical characteristic.)
 <仕様>
  枝番1:Keyence顕微鏡
       型式VHX-1000 顕微鏡観察を行う装置です。
Keyence-microscope
 <仕様>
  枝番2:DektakXT-S:触針段差計です。
 <仕様>
   枝番3:NanoSpec:SiO2やレジスト、SiN膜の膜厚を
   簡易的に測定します。
NanoSpec
  <仕様>
   枝番4:Suss8”プローバ、針を当てて電気的特性を
   測定する装置です。8インチ対応。
Suss8
  <仕様>
   枝番5:分光エリプソメーターM-550
Ellipsometer
  設置場所:CR
◆電気計測
電子材料・デバイス評価 ▲ 装置検索へ戻る
(38) 装置名:半導体パラメータアナライザー  【機器ID:F-UT-143】
   (Semiconductor Parameter Analyzer )
  <仕様>
    B1500A
半導体パラメータアナライザー
  設置場所:CR
◆機械計測
振動・変形測定 ▲ 装置検索へ戻る
(32) 装置名:機械特性評価装置  【機器ID:F-UT-105】
   (Mechanical characteristic analysis equipment )
<仕様>
  Polytec MSA-500 振動解析装置
  1.5MHzまでの面外振動(ドップラー振動計)、24MHz
  までの面外振動(変位計)
  1MHzまでの面内振動(ストロボスコープ)測定が可能
MSA-500
  設置場所:CR