東京大学 武田先端知ビル Takeda-Sentanchi Bldg.
超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 * トップページ
超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 * プロジェクト紹介
超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 * 施設紹介
ご利用案内
超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 * スタッフ一覧
超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 * 成果・実績
超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 * 交通案内
超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 * お問い合わせ
超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点 * リンク
電子顕微鏡に関するお問い合わせ
リソグラフィーに関するお問い合わせ
----------
AIMD-先端知機能材料デバイスラボラトリーズ-Advanced Intellectual Materials and Devices Laboratories
ー大規模集積システム設計教育研究センターVLSI Design and Education Center
東京大学ーThe University of Tokyo
nanotechjapan
nanofabplatform

成果・実績

主な成果をご紹介致します。
電子線描画とリフトオフで作製したナノ構造 Cr/Au ナノワイヤー
Au ナノギャップ電極
Cr/Au ナノワイヤー
Ni下地の上に、電子線レジストを塗布してパターンを描画し、Au を蒸着、リフトオフにより10 nm のAu ナノギャップを作製しました。本拠点のEB 描画装置は可変成型ビーム方式ですが、レジスト材料や露光・現像条件の最適化により、このようなナノ構造を作製することが可能です。(東洋大学 和田 恭雄 教授 提供) 電子線描画による微細パターン上にCr/Au を蒸着し、リフトオフにより幅80 nm、長さ200μ mのCr/Auのナノワイヤーを作製しました。(東京大学 生産技術研究所 金研究室 Peter Low 氏 提供)
高スループットフォトマスク描画 深掘りイオンエッチングによる微細トレンチ
高スループットフォトマスク描画
深掘りイオンエッチングによる微細トレンチ
5インチフォトマスク上に直径1 〜 10 μm の円を3000 万個敷き詰めたパターンを作製しました。このような複雑な大面積マスクパターンであっても、可変成型ビームとステージ連続移動により約1時間で描画が完了します。 電子線描画装置で作製したサブミクロン開口のレジストパターンを用い、ICP プラズマによるBosch エッチングを行って微細トレンチを作製しました。マイクロマシンなどの3次元微細構造形成に威力を発揮します。(東京大学 柴田・三田研究室提供)
GaN の原子像観察と極性評価 アルミナ粒界における転位の挙動
GaN の原子像観察と極性評価
アルミナ粒界における転位の挙動
超高圧電子顕微鏡の性能を駆使して、窒素や酸素など軽元素の原子像を観察することが可能です。この特徴を活かして、GaN結晶表面の極性(Ga 極性あるいはN 極性)を直接決定することが可能です。(観察:JEM-ARM-1250)

α-Al2O3 2°小傾角粒界のTEM 像。高分解能で結晶粒界を観察し、粒界における転位の挙動を解明しました。(a) [1100] 方向から観察した明視野TEM 像。(b) 転位の高分解能TEM 像。同小傾
角粒界において形成される転位は分解し、界面上に周期的に配列していることが分かります。 (観察:JEM-4010、JEM-2010)

YSZ 粒界の構造 異相結晶界面の構造観察
YSZ 粒界の構造
異相結晶界面の構造観察
Y 添加安定化ZrO2(YSZ)Σ5 粒界の高分解能TEM 像。界面は原子レベルで接合しており、界面が粒内と異なる原子構造(構造ユニット)により形成されていることがわかります。
(観察:JEM-4010)
Ni(111)/YSZ(111) 異相界面の高分解能TEM 像。界面にはアモルファス相などの第2 相は存在しておらず、ミスフィット転位に起因する周期的なひ
ずみ場も見受けられません。
このことから、この界面が非整合界面に分類されることが分かります。(観察:JEM-4010)
Copyright (c) 2007 Takeda-Sentanchi Bldg., ALL Rights Reserved.